半导体开关相关论文
本文提出了一种用快速晶闸管作控制开关RSD(Reversely Switching Dynistor)脉冲电源的触发电路.主要讨论了该触发电路的参数设计,......
基于反向注入控制RSD的大面积快速均匀开通、可无限串联、功率大、换流效率高、寿命长的特点,新开通机制的RSD将在脉冲功率技术中......
高速大功率脉冲产生的关键技术之一是实现高速开通的大功率器件,它在很大程度上决定了脉冲的能量、重复频率以及装置的可靠性.该领......
本文介绍了用于脉冲功率系统的传统开关,如引燃管、火花隙、爆炸式开关和新近开发并已获得应用的半导体开关,比较了它们的开关性能......
新近开发出了用于大功率脉冲电源技术的新型超高速开关RSD,本文介绍了该器件的结构、开通机理、特性及测试实验结果.设计电流20KA......
中国核聚变工程实验堆(China Fusion Engineering Test Reactor，CFETR)是我国下一代超导聚变实验项目，开关网络单元(Switch Network ......
中红外超短（皮秒至飞秒量级）脉冲是研究固体、表面、等离子体和光化学等领域里各种瞬态过程的有力工具。着重介绍了常用的四种产生中......
光学器件具有无限的速度潜力日立公司和剑桥大学的一组科研人员最近取得一项惊人的研究成果。成果表明，未来的半导体开关能够以无限......
作为一种大功率四层半导体开关器件,可控硅已在交流可控整流、调压、开关等电力领域获得了广泛的应用,并在功率容量方面远远超过......
一般的变频器硬件系统结构框图如图1所示。其核心器件是构成逆变电路的电力半导体开关器件,目前使用最多的是功率晶体管(GTR)和绝......
一、概述1985年主动型有源矩阵的 TFT 彩色液晶显示器开发成功,至1992年10英寸的大型化商品量产,液晶显示器市场因此快速成长。TF......
由天津大学、一机部西安整流器研究所、一机部西安徽电机厂、天津发电设备厂、三机部——四厂共同奋战两年,攻下了GTO步进电机驱......
设计制备了一种由双层半绝缘GaAs:EL2晶体组成的新型超快光电导功率开关.由于触发状态下双层GaAs晶体之间满足动态分压关系,使该开......
针对大功率半导体开关反向开关晶体管(RSD)由于预充不足造成的非均匀开通缺陷,在直接预充放电工作电路的基础上,设计了一种两步式......
本文主要对GaAs光导开关触发下ZnO产生电脉冲物理过程作了简要分析,并把它分为三个阶段。在第一阶段提出ZnO在电脉冲的作用下会产......
据美帝报导,自从1968年11月奥氏举行记者招待会发表所谓奥氏效应,美帝各大报以头号标题刊登以来的一年当中,所谓奥氏器件,即玻璃......
为期三年的直瞄/超直瞄(L O S/BLOS)电热化学(ETC)发射装置研制项目是一项开发先进电热化学发射技术的综合性研究工作,由美国陆军......
使用电源诱虫灯,最需要的是按照预定钟点使灯光熄灭。这样不但对管理虫灯的人员是极大方便,重要的是,在测报工作中对定时诱集虫量......
1、前言玻璃半导体内的开关和存储效应在1962年就已经发表,引起了世界各国科学界的广泛兴趣。1970年非结晶固体杂志就为二次玻璃......
文内载有硫属玻璃半导体层内开关效应的研究数据;叙述了可以作为开关应用的,层的极限厚度的概念、开关能在2.5到70～100伏范围内工......
报导了 Si_2 Ge_1 As_(38) Te_(55) 非晶半导体体开关。虽然电极接触相隔1毫米,但观察到的弛予时间只有10微秒。这是由于只有靠近......
由于光启动半导体开关能在千伏电平快速开关,因此,近年来,它们越来越受到人们的关注。根据这个实际装置设计的脉冲发生器在很高脉......
一、序言: 微波开关早已被广泛地应用于微波测试设备、雷达微波通讯设备、卫星通讯技术、干扰机等各个方面,自从一九五八年以来,......
近年来,使用非线性电介质元件(Non—Linear Dielectric Element;以下略记为 NLDE)的结构简单的荧光灯启动器受到重视。这种启动器......
在模拟控制、计算和转换系统中,以适当的速度和高精度的转换模拟信号是一个重要课题。迄今为止,人们已经在这方面化费了大量的人......
美海军水面作战中心Dahlgren部(NSWDCD)考虑到对抗现代反舰巡航导弹(ASCM)威胁有很大难度,正把注意力逐渐转向采用电子对抗方案。......
断续器以高频运行会减少设备额定功率和滤波器尺寸。但是,由于换向电容通过员载放电使电压的高频成份小。人为的方法可以引进纠正......
本文介绍了基于MATLAB的BP网络的结构、原理以及设计，并将BP网络应用到电力电子器件功率损耗的建模当中，详细介绍了主要参数的设计过......
基于故障发生时快速断电安全保护的要求，阐述了三相交流半导体开关即固态断路器的发展现状，比较了基于不同半导体器件固态断路器......
本文阐述通过先进的集成化改进功率处理技术的可能方向。其中心焦点是除了电力半导体开关组件的集成化外还应推动电磁功率无源元件......
该文以气体火花开关和半导体开关这两种开关为主要研究对象.该文首先综述了脉冲大电流开关的特性、工作原理以及近年来脉冲大电流......
大功率超高速半导体开关RSD(Reversely Switched Dynistor)在微秒和亚微秒量级的高压大电流领域具有明显的优势,开通时的速度很快......
本文介绍了脉冲功率技术的基本概念,归纳了脉冲功率技术领域开关器件的种类与其特性,指出了大功率超高速半导体开关RSD(Reversely ......
以微波整流作为基础所设计出现的使用半导体作为开关进行无线控制的方法是为了满足传感器节点和有源电子标签在低功耗的时候对唤醒......
布局约束因素rn现今的可调速驱动电路都采用变频器来调整输出电流,以满足三相马达的要求.变频器的形状大小通常会受到应用的限制.......
提出用带有半导体光学放大器的塞纳克干涉仪开关对全光波长和脉宽变换。这种开关结构简单,开关速度不受半导体载流子恢复时间限制......
为了获得窄脉宽下的大脉冲电流,研究了基于反向导通双晶复合管开关的2种不同预充拓扑的高压脉冲电路—直接预充拓扑和变压器预充拓......
运用谐振电路原理,设计出一种用于脉冲变压器高电压、大电流脉冲开关RSD(Reversely Switched Dynistor)的触发电路.重点设计了控制......
高功率半导体快速开关器件-FID（Fast Ionization Dynistors快速离化二极管开关）在高功率微波、超宽带技术等方面具有较广的应用。本......
随着脉冲功率技术在新型粒子加速器、生物细胞实验仪器等领域拓展应用,对脉冲功率发生器高重复频率、短脉冲、脉冲参数灵活可调提......
采用光电信号作为前级控制触发脉冲，驱动后级高压开关管输出高压脉冲信号的思路，设计了一台脉冲幅度为500～1000V、脉冲宽度大于500ns......
