单晶碳化硅相关论文
随着科技不断发展,常用的单晶硅已不能满足其需求。单晶碳化硅材料以其禁带宽度大、热导率高、临界击穿电场高和化学稳定性好等特......
单晶碳化硅(SiC)作为第三代主要的半导体材料，是一种硬度高、耐腐蚀性能好、高温时抗辐射性强、导热性能良好的半导体材料，同时以其......
光电行业的发展使LED得到广泛应用。单晶蓝宝石(Al2O3)和单晶碳化硅(SiC)作为常用的LED衬底材料，被广泛应用于半导体照明、军事、航......
在磨粒加工过程中，工件表面形貌是由出露在砂轮上的多颗磨粒累积的切削行为综合作用形成的。研究表明，在磨削加工过程中，磨粒的尖端形......
<正> 由于单晶碳化硅(SiC)的出现,目前已经获得使用可维持单晶外延层的特种类型的定向多晶体的碳化硅(SiC)。以前研究人员认为此项......
碳化硅作为新型的第三代半导体材料同时在海洋密封材料方面具有广泛的应用。金刚石则具有一系列优异的物理化学性能。以碳化硅为衬......
选择影响化学机械抛光化学反应速率的参数：催化剂浓度、氧化剂浓度、抛光液的pH值、抛光液温度等进行了试验,研究了它们对基于芬顿......
单晶碳化硅的硬度大、熔点高、导热率高,具有非常高的化学稳定性和热稳定性。单晶碳化硅具有优异的半导体性质,是第三代半导体材料......
以单晶碳化硅(Si C)作为加工对象,通过不同尖端圆角半径的圆锥型金刚石磨粒划擦试验观察了单晶Si C的去除过程,并采用FEM与SPH耦合......
单晶碳化硅（4H-SiC）不仅具有宽禁带、高击穿场、高导热、高温度稳定性和低介电常数等优良的热、电子性能,而且具有与氮化镓相近的晶......
随着电动车和5G技术的兴起,单晶碳化硅作为第三代半导体材料,由于其良好的性能在功率半导体元器件中逐渐普及。但单晶碳化硅的高硬......
作为第三代半导体材料的SiC因具有导热能力强、介电常数小、抗辐射能力强以及良好的化学稳定性等特点,在LED照明、宇航、汽车电子......
基于集群磁流变效应超光滑平面抛光理论及试验装置对单晶碳化硅基片进行了平面抛光试验，结果表明，金刚石磨料对单晶Sic基片具有较高......
