双互锁存储单元相关论文
为了减轻辐射环境中静态随机存储器（SRAM）受单粒子翻转（SEU）的影响以及解决低功耗和稳定性的问题,采用TSMC 90nm工艺,设计了一款可应用......
分析了核裂变与聚变情况下,典型能量的中子与半导体器件反应,所产生的次级粒子及其能谱分布。根据中子所能导致的最恶劣情况,讨论......
基于双互锁存储单元(DICE)结构,采用TSMC 0.18μm体硅CMOS工艺,设计了一个带复位和清零端的主-从型抗辐照触发器。通过将数据存放......
在众多存储器中，由于静态随机存储器（Static Random Access Memory, SRAM）具有可靠性好、速度快、功耗小的特性，使其在存储器中占有举......
随着科技的发展，集成电路在空间环境中的应用越来越多，然而工艺尺寸的缩小，使集成电路在太空环境中受到高能粒子撞击而发生软错误的几......
空间应用的SRAM必须具备抗辐射加固能力。介绍了SRAM工作原理与双互锁存储单元(DICE)技术,给出了基于DICE结构的SRAM存储单元的电......
为了提高传统移位寄存器的可靠性和耐辐射性,提出抗单粒子翻转(SEU)的高可靠移位寄存器.该设计基于TSMC 0.18μm 1.8V1P5M工艺,利......
以互锁存储单元（DICE）结构为基础，采用0．35μm CMOS工艺，设计了一种具有抗单粒子翻转的带置位端的 D 触发器。通过将数据存放在不同节点......
