双势垒结构相关论文
近年来,Ⅲ族氮化物半导体以其独特的材料特性和优异的器件性能而倍受关注.其中,基于氮化物的共振隧穿二极管(RTD）有望实现室温下太......
制备了含两层绝缘层的双势垒结构隧道发光结,介绍了其结构特点,分析了电子在结中的共振隧穿特性。结合电子隧穿特性及结的发光机理......
针对共振隧穿二极管近红外探测器焦平面阵列本征电流较大的问题,提出了一种通过对共振隧穿二极管近红外探测器双势垒结构(DBS)进行......
本文对一种基于共振隧穿效应的弱光探测器进行研究.设计了具有600 nmInGaAs吸收层和AlAs/InGaAs/AlAs双势垒结构的探测器外延......
计入Rashba自旋轨道耦合后,计算了对称双势垒中声子辅助隧穿电子的跃迁几率.在AlxGa1-xAs/GaAs/AlxGa1-xAs双势垒结构中,当入射电......
在这篇文章中,我们提出了在传统双势垒结构的SPACER层中增加一层δ掺杂的RTD结构,并成功生长出了峰谷比为2.8谷值电流密度为11.8kA......
由于纳米硅（nc-Si）双势垒结构的材料、工艺与现代微电子技术高度兼容，以及由于量子尺寸效应所产生的许多新的物理现象，使得nc-Si双势垒......
在过去的几十年里，微电子技术发展迅猛，到如今，它已成为当代计算机技术、通讯技术、自动控制技术等新兴技术的基础。随着微电子技术的......
随着信息社会对半导体集成电路集成度的要求不断提高，人们一方面不断减小晶体管的尺寸以提高集成度。另一方面，人们试图寻找新的器件......
该论文针对既具有重要应用价值又具基础理论研究意义的电场作用下的磁纳米结构中电子的量子输运行为以及半导体双势垒结构中电子隧......
理论研究了非对称双势垒结构中光学声子发射率和光学声子辅助隧穿电流.对AlxGa1-xAs/GaAs/AlyGa-yAs结构作了数值计算,得到对声子......
用紧束缚能带方法计算双势垒结构GaAs／Ga1－xAlxAs／GaAs和InAs／GaSb／AlSb的电子、空穴电流密度，对计算结果进行分析，并对其结果在工艺设计......
考虑了晶体格点的振动效应和光子－声子的相互作用，导出了对称双势垒结构中的电流密度随激光强度、照射时间，样品初始温度，材料的热容量......
在PECVD系统中，用layerbylayer的方法原位制备了a—SiNx／nc—Si／a—SiNx双势垒结构样品。AFM测量结果显示nc—Si晶拉密度约为1．2×......
The transport property of electron through graphene-based double-barrier under a time periodic field is investigated. We......
分析了纳米电子器件中散粒噪声的散射理论，通过对电导问题和散射问题相似性的讨论，得到一种基于双势垒结构纳米器件的散粒噪声抑制的......
研究双垫垒ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ结构与时间有关的交谱电场的作用下电子接共振隧穿的几率和隧穿电流密度。采用转移矩阵方法给出电子在不同空间位置的波......
利用Landauer—Buttiker散射理论和传递矩阵方法研究了单层石墨烯双势垒结构中的隧穿几率和电导。计算结果表明：即使存在克莱因隧穿......
制备了含两层绝缘层的双势垒结构隧道发光结,介绍了其结构特点,分析了电子在结中的共振隧穿特性。结合电子隧穿特性及结的发光机理......
利用等离子增强化学气相沉积（PECVD）技术,采用NH_3等离子体预氮化法淀积α-SiN_x介质膜,同时结合layer by layer生长nc-Si的方法一次......
量子隧穿是一个很古老的课题,同时这也是量子力学中最为神奇的现象之一,1931年Condon首次提出了“粒子穿过势垒需要多长时间?”的......
为了提高量子环红外探测器（Quantum Ring Infrared Photodetector,QRIP）的灵敏度,抑制QRIP的暗电流,提出了一种具有倍增区、量子环吸......
