设计制作了双栅槽结构AlGaAs/InGaAs/AlGaAs功率PHEMT器件.对于栅长1μm的器件,最大输出电流I为480mA/mm,跨导Gm为275mS/mm,阈值电......

赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)是一种适于在10GHz到100GHz频带范围内应用的功率器件,是功率放大器的首选器件之一.该论文建立了一......