烧结致密的α－ＳｉＣ在静态空气气氛中经１２００℃×１０ｈ氧化，在其表面形成一层致密的氧化膜，该层氧化膜具有β－方石英晶体结构．氧化膜的生长由Ｏ２通过ＳｉＯ２晶格间......

SiC颗粒在静态空气气氛中经1200℃×10h钝化氧化处理后在表面形成厚约0.6μm,具有晶态的β-方石英结构的致密氧化膜.经在氢气......