与其他GaN基单异质结材料相比,传统的单异质结材料AlxGa1-xN/GaN拥有相对较强的自发极化和压电极化,使得异质结界面存在高密度和高......

近年来，在高温、高频、大功率器件等领域有着广阔应用的GaN基材料，一直是研究的热点。此材料体系作为第三代宽禁带半导体材料的代表，......

GaN-HEMT的应用领域包括高频大功率微波器件、压力传感器、生物检测等，并且有着重要的前景和地位，而HEMT器件的性能依赖于2DEG的输运......

InAlN/AlN/GaN异质结中,名义上的AlN插入层实为Ga含量很高的AlGaN层, Al, Ga摩尔百分比决定了电子波函数与隧穿几率,因此影响与InA......

第三代半导体GaN基电子材料和器件研究向高频和大功率方向得到了很大发展。常规AlGaN/GaN异质结电子材料要实现大电流,高功率和高......

近年来,在高温、高频、大功率器件等领域有着广阔应用的GaN基材料,一直是研究的热点。此材料体系作为第三代宽禁带半导体材料的代......