场致电离相关论文
表面过程在真空科学中起着重要作用,场致电离(FI)质谱计对这种过程的研究是一种多用途的工具。本文评论了(1)FI质谱计的实验技术,......
在飞行时间质谱上 ,用 532和 355nm激光照射到不锈钢板上 ,产生光发射电子束 .利用这种电子束产生了原子分子的高Rydberg态 ,结合......
中国林科院林产化工研究所(南京)于1979年从日本引进一台 JMS-D300气相色谱-质谱-计算机联用仪(简称 GC/MS 仪)。该仪器的气相色......
对于机械工程领域的某些理论,在当今科学技术高速发展的情况下,也许会有全新的或部分更新的认识。本刊欢迎从理论研究的角度反映交......
在刀片型场致电离质谱计离子源中,计算电场和离子轨迹的一种计算机模型已有描述,并使用于一种杜邦(CEC)21—110B的场致离子源中,电......
按照MATSUDA完全二级双聚焦离子光学系统的理论,试制成功了有机分析高分辨本领质谱计ZhP5。仪器的最高分辨本领优于70000,除常规的......
Ⅲ.场致电离非常强的电场—约为10~8伏/厘米作用在原子或分子上,具有改变原子或分子电位的效应,在如此一种方法中,价电子可穿透位......
Ⅰ.引言在质谱分析的起先,分子由中性状态转变到电离状态。这种过程称为分子电离。使分子电离的各种技术能按如下方法来实现。1. ......
在分析Ｃｅ３＋ 激发态能级与导带之间杂化相互作用的基础上， 讨论了电场强度与场致电离之间的关系。实验测得的ＳｒＳ∶Ｃｅ ＴＦＥＬ发光波形表明， 在正弦电压......
近年来,质谱分析法(Mass Spectrome-try),特别是气相层析和质谱的联用(GC/MS)已在药物结构阐明、药品及机体代谢物鉴定,以及生物......
质谱法能提供化合物的许多结构信息,它已成为有机和生化分析中的强有力的手段。常规质谱分析要求样品能气化电离,对于那些不易气......
多原子分子在飞秒强激光场下的光电离和解离,由于能够产生丰富的母体离子,而这在化学分析方面有着巨大的应用价值,因此多原子分子......
该论文从实验和理论两个方面研究了多原子分子在飞秒强激光脉冲作用下的光电离机理.实验上作者们利用自制的飞行时间质谱系统和飞......
随着社会经济的快速发展,以臭氧和大气细粒子为主要特征的大气复合污染日益严重。与粗颗粒物相比,由于大气细粒子特别是纳米超细粒......
利用飞行时间质谱，研究了乙腈分子在脉宽５０ｆｓ，波长８００ｎｍ，强度为６．３×１０~(１３)～１１．３×１０~(１３)Ｗ／ｃｍ~２的激光脉冲作用下的光电离和解离情况，测量了主要产物离子ＣＨ_３ＣＮ~＋， ＣＨ_２ＣＮ~＋， ＣＨＣＮ~＋和ＣＣＮ~＋......
分别利用810,405和270nm飞秒激光对NO2的解离和电离现象进行了实验研究.结果表明在3种波长下NO2+/NO+比率与场强无关,而与波长有关......
通过对CS2,CH4与CH3OH三种分子在110传,10 13～10 16W·cm-2作用下的离子碎片的飞行时间质谱研究,得到线偏振、圆偏振下的质谱分布.C......
用湿法化学刻蚀制备出具有直立结构的硅纳米线,其平均长度为20μm,平均直径100 nm.将该硅纳米线作为电容式电离结构的一维纳米电极......
为了研究纳秒脉冲电压下液体介质放电过程中带电粒子的微观动力学行为，以场致电离机理作为理论基础，仿真研究了纳秒脉冲电压下变压器......
以变压器油作为研究对象,采用有限元方法(finite element method, FEM)对应用场致电离机理建立的用于表述液体电介质流注放电过程......
研究了在强激光脉冲中各种不同取向的N2分子发生场致电离的电离几率和表观电离效率．用量子化学方法计算了N2^+分子离子在各种不同取......
文章以一个实验者的角度，介绍了分子的飞秒强光电离的研究现状。文章从对比飞秒激光电离质谱与纳秒激光电离质谱开始，接着介绍分子在......
流注放电多具有电离程度高、发展速度快及树状分叉等典型特征,是介质击穿前发生的各类放电起始、发展现象的统称。研究变压器油中......
利用飞行时间质谱仪和飞秒激光放大系统,对分子在飞秒强激光脉冲作用下的场致电离和库仑爆炸过程进行了研究.在飞行时间质谱中,原......
为了进一步理解极端条件下物质的电离特性,特别是超短超强激光脉冲辐照超薄靶时等离子体的形成与分布,本文以超薄碳膜为例,细致研......
本文介绍高分辨光电子谱的发展概况，简要说明了阈值光电子谱和脉冲场致电离光电子谱的工作原理及研究进展，着重阐述了用同步辐射光源......
当飞秒强激光脉冲和原子分子相互作用时,会产生一系列非线性现象,包括场致电离,激光大气中传输成丝,以及激光诱导等离子体通道产生......
使用静电增强超声雾化热解法制备了ZnO薄膜,用XRD、SEM、PL、RAMAN等手段研究了制备条件对ZnO薄膜形貌、内部缺陷的类型、发光性能......
气体放电研究,尤其是微小问隙下的放电,具有突出的学术价值。一方面,在集成电路和MEMS等器件中,放电击穿是应着力避免的问题；另一方......
