外延结构相关论文
双极晶体发光管(LET)是一种基区发光的双极型晶体管,它结合了PN结LED的发光功能与晶体管的快速开关功能。从而可望实现一种应用于......
采用金属有机物化学气相沉积设备生长InGaAs/AlGaAs应变多量子阱有源区和双氧化限制层的外延整体结构,利用断点监控电感耦合等离子......
本文概述了我们最新引进的英国VG公司制造的V80H型分子束外延（MBE）设备的技术特点和性能，主要介绍了我们利用这套设备所进行的半导体......
本文介绍抗单粒子辐射加固的１ＫＣＭＯＳＳＲＡＭＬＣ６５０８电路，对该电路进行了单粒子辐射试验，并就试验结果进行了讨论。
This article describes the 1KCMOSSRA......
回顾了Ⅱ－Ⅵ族半导体材料的研究状况．结合国际上的最新研究动态，总结出Ⅱ－Ⅵ族半导体材料研究的主要方向：（１）ｐ型掺杂研究；（２）ｐ型Ⅱ－Ⅵ族半导体的欧......
利用３００ｋｅＶ的Ｐ＋离子对ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓＰ应变层多量子阱（ＭＱＷ）激光器外延结构实施浅注入，经Ｈ２／Ｎ２混合气氛下的快速退火，结构的光致发光（ＰＬ）峰值波长蓝移了７６ｎｍ，所作宽接触激光器的激......
圣巴巴拉加州大学小组发展了第一个室温运转、输出波长 1.55μm的电抽运、全晶格匹配、砷锑化物单块垂直腔激光器。在 In P基质上......
德国乌尔姆大学、麻省理工学院、耶鲁大学和意大利Ｐａｌｅｒｍｏ大学的研究人员制作了谐振腔增强(ＲＣＥ)光探测器。它以普通的外延生长结构与单膜垂直......
通过将下波导层掺杂为p型 ,使半导体激光器的有源区与pn结分离 ,制作了大功率远结半导体激光器。该器件在老化期间表现出输出功率......
美国得克萨斯大学和伊利诺斯大学联合开发出一种高性能δ掺杂 AlGaN/AIN/GaNHFET,其外延异质结构用低压 MOCVD 方法生长。这种性......
日本芯片制造商东芝公司研制出一种GaN基FET,在6GHz这样的宽带无线通信协议如Wi MAX的重要频段下,其发射功率达到创记录的174W。该......
美空军研究院(AFRL)的工程技术人员声称制造出首只金刚石上GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)。尽管AFRL研究小组的说明只是概括性的,没......
德国VI Systems公司宣布制造出首支单体垂直腔面发射激光器(VCSEL),其通过多模光纤的数据传输速率达到无误差的40Gb/s。此前,该公......
据外媒报道,LG旗下子公司LG伊诺特(LG Innotek)于近日宣布他们已成功研发出世界首个70 mW UV-C LED,用于医疗消毒领域。UV-C LED产......
界面上电荷、自旋、轨道及晶格之间的耦合与调控是各种新奇物理现象的重要源泉。在复合多铁性材料中，铁电与铁磁异质结以其独特......
介绍了最近发明的一种制备汞系高温超导薄膜的新方法—阳离子置换法．采用Ｔ１ 系外延超导薄膜作为先驱薄膜，将Ｔ１ 系超导薄膜在Ｈｇ 气氛下进行......
全新的尼罗塔体量设计轻盈优雅,基址地处开罗市中心,毗邻尼罗河。这座70层的酒店及公寓建筑主结构采用混凝土翼缘墙体,墙体随建筑......
报道了在（３１１）Ａ腐蚀图形衬底上，用分子束外延（ＭＢＥ）生长高度规则的三种点状结构的实验研究．样品表面的原子力显微镜和剖面的扫描电子显微镜测试结......
用三个料瓶的 Ga-AsCl_3-H_2外延系统,在掺铬 GaAs 半绝缘衬底上成功地连续生长了缓冲层(n~-)、有源层(n)的 GaAs 外延结构。缓冲......
采用直接描绘电子束刻蚀法制造了用于低噪声极高频(EHF)放大器的亚半微米栅长的高电子迁移率晶体管。调制掺杂的外延结构是用分子......
本文报导了窄带有源区位于两个宽带外延层之间的 Al Ga As 异质结发光二极管的研究结果。研究了发光二极管的几何结构,组分分布以......
微波和电光工业的发展需要越来越薄的平面外延结构,这促进了人们对晶体生长的分子束外延技术进行深入的研究。现在,用分子束外延的......
利用宽禁带发射极高注入效率的异质结双极晶体管(HBT),可同时提高基区掺杂、降低发射区掺杂,从而降低基区电阻和基极-发射极结电......
去年这个时候,美国二六公司报道用CdZnTe代替CdTe作红外探测器。今年宾夕法尼亚州Saxonburg公司说,现在人们对用生长在透红外光Cd......
可见光激光器在光学唱机和激光束印刷业中是非常重要的光源。为此发展的波长为600nm 范围的器件,已经进行了许多偿试。目前,AlGaA......
本文介绍消除CMOS电路闭锁效应的几种方法:第一、减少寿命,起初,使用掺金的办法来降低少数载流子寿命,后来Sakai等采用本征吸杂办......
本文对GaAs FET所用的多层结构外延材料的C-V曲线进行理论分析,以求解释在科研与生产中出现的一些现象.我们提出了有源层以及有源......
美国TI公司采用双异质结P-HEMT开发了一种高效率的MMIC单级放大器,在16GHz下,增益为4.5dB,功率附加效率为30.8％,CW输出功率达7W。......
最近TI公司报道了一种甚高性能的InP/InGaAs HBT,其f_(max)为180GHz,f_T为100GHz,电流密度为1×10~5A/cm~2。有效延迟时间(f_T/8......
本文描述了一种可用于集成系统的高速BiCMOS技术。采用双埋层、双阱和外延结构,应用2μm设计规则,成功地将NPN器件和CMOS器件制作......
高击穿电压ＩｎＡＩＡｓ／ｎ￣＋－ＩｎＧａＡｓＨＦＥＴ最近报道了一种适于高压应用的ＩｎＰ基ＨＦＥＴ，它采用的是双应变外延结构。为了提高器件的击穿电压，采用了如下方法：①采用量子阶沟道，以......
我们描述了用应变单量子阱外延结构制作的２μｍ宽脊波导激光器，其发射波长为９８０ｎｍ。这种器件对单模光纤呈现出高的耦合效率，我们用工业标准的......
变容调谐二极管朱研变容二极管的出现，在很多方面给电子设计以巨大的推动，尤其是在消费类电子产品中则更是如此。以前用机械方法进行......
本文对Si衬底上插入了低温AlN应力缓冲层的GaN外延结构进行了研究,并在该外延结构中观察到了一种反常的P型导电现象。针对该现......
阐述了Hg肖特基C-V技术的测量原理及其在特殊外延结构中的应用，针对其它外延层电阻率或浓度测量方法进行了比较，提出了应用Hg肖......
本文采用电化学C-V测试方法,测量分析了InP/InGaAs/InP外延结构的I-V特性,对异质结界面的电学性质进行了表征和分析。用逐层化学腐......
对于制作高质量的器件而言,消除失配位错是非常重要的.位错主要发生在P/P+外延片,即在重掺杂P型单晶衬底生长轻掺P型外延层.对于p/......
本文研究了锑化铟外延结构的霍尔传感器,其磁感应强度一直到17特斯拉以前,霍尔常数均不随磁感应强度而变。工业生产的霍尔传感器......
该文利用脉冲激光淀积技术，在MgO衬底上成功地外延生长了（KNa）（SrBa）NbO（KNSBN）薄膜；利用X射线衍射θ/2θ扫描和扫描技术，测定了薄膜的外延......
