采用超晶格方法,利用射频磁控共溅射及在N2气氛中退火技术,制备了多层Ge纳米晶（Ge-ncs）镶嵌Si基复合薄膜（Ge-ncs＋SiO2/GeO2）.同时采用椭......

以Si为衬底,SiO2＋Ge为复合靶,用超晶格方法（SiO2＋Ge层和SiO2＋GeO2层交替生长）和磁控溅射技术制备镶嵌于Si/Ge氧化膜中的多层Ge纳米晶。X......