存储窗口相关论文
当今信息社会,更大的储存容量、更快的读写速度、更高的数据安全性及更低的功耗是人们对存储器性能的要求,这就使得存储器件的尺寸......
采用磁控溅射法制备了(111)向择优的Pb(Zr0.52Ti0.48)O3(PZT)铁电薄膜,并结合半导体集成技术制备了金属/铁电/金属/多晶硅/绝缘层/......
铁电材料以其固有特性如剩余极化特性、压电特性、高介电常数、光电效应目前得到广泛的研究。而利用其极化特性制备的各种存储器件......
研究了运用 SOL- GEL方法制备的 Au/PZT(铅锆钛 ) /Zr O2 /Si结构电容即 MFIS(Met-al/Ferroelectric /Insulator/Semiconductor)电......
在磁控溅射法制备Pb（Zr0.52Ti0.18）O3（PZT）铁电薄膜的基础上，结合半导体工艺制备了金属／铁电／金属／绝缘层／Si衬底（MFMIS）结构的铁电场效应晶体......
目的研究金属／铁电／金属／多晶硅／绝缘层／Si衬底（MFMIS）结构的p沟道铁电场效应晶体管的性能．方法制备金属／铁电／金属／多晶硅／绝缘层／Si衬底（MFMIS）......
研究了运用ＳＯＬ－ＧＥＬ方法制备的Ａｕ／ＰＺＴ（铅锆钛）／ＺｒＯ２／Ｓｉ结构电容即ＭＦＩＳ（Ｍｅｔ－ａｌ／Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ／Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ／Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）电容的方法，并对其进行了ＳＥＭ、Ｃ－Ｖ特性测试及ＺｒＯ２介质层介电常数分析。研究了Ｃ－Ｖ存储窗口（Ｍｅｍｏｒｙ Ｗｉｎｄｏｗ）电压与铁电薄膜......
采用磁控溅射法制备了（111）向择优的Pb（Zr0.52Tio48）O3（PZT）铁电薄膜，并结合半导体集成技术制备了金属／铁电／金属／多晶硅／绝缘层／Si衬底（MFMIS）结......
采用溶胶-凝胶法制备了Pt/Bi3.15Nd0.85Ti3O12/SrTiO3/Si多层电容即金属-铁电层-绝缘层-半导体结构,并对其电学性能进行了测试与分......
<正> 消费者与专业采购者在急切地等待着它们的到来;摄影师、印前工作室及印刷商也通过它们获得了利润;只有邮差们把它们日益增加......
为了适应视觉效果的提升,对于显示面板的集成度有了更高的要求。基于IGZO沟道的TFT存储器的出现能够实现显示模块和存储模块的统一......
铁电随机存储器（FRAM）的工作原理是利用铁电薄膜材料剩余极化双稳态的特点,它具有非易失性、高速度、高密度、抗辐射等优点,被认为半......
制备了金属-铁电层-绝缘层-半导体(Pt/Bi3.15Nd0.85Ti3O12/YSZ/Si,MFIS)二极管,研究了该二极管的存储窗口电压、疲劳特性和高温保......
本文包括钛酸锶钡、钛酸锶铌及铁电存储器的研究。分别评述了钛酸锶钡介电材料、钛酸锶铌陶瓷材料及铁电存储器的研究现状;并成功......
利用磁控溅射薄膜沉积技术、微加工技术和离子刻蚀等技术制备了金属（Au、Ag和Ti）/Nb:SrTiO3结构的存储单元器件。通过对不同金属/Nb:......
铁电场效应晶体管(FeFET)作为最潜力的铁电存储器之一,因其具有非破坏性读取、高集成度、抗辐射等优点而受到研究者的广泛关注。目......
相对于传统的FLASH存储器而言,基于纳米晶(NCs)的非易失性存储器(NVM)因其离散俘获陷阱中心存储行为及对局部氧化层缺陷具有极大的......
铁电栅薄膜晶体管(Ferroelectric-gate thin-film transistor，FGT)由于其具有非挥发特性，而且单元结构和制备工艺简单、铁电薄膜层与......
电荷陷阱存储器(CTM)由于其分离式电荷存储原理,可以使存储器件尺寸持续小尺寸化,理论上解决了传统浮栅存储器小尺寸化瓶颈的限制......
