局部双轴应变相关硕士博士期刊学术论文 - 信丰网

局部双轴应变相关论文

适于PMOSFET的局部双轴压应变Si0．8Ge0．2的生长

通过控制局部双轴压应变SiGe材料的缺陷、组分与厚度，设置了多晶Si侧壁与Si缓冲层的特别几何结构，采用固态源分子束外延MBE设备生长......

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局部双轴应变应变锗硅特别几何结构材料生长 local biaxial strain strained SiGe special geometry st

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