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利用传统、简易的离子束溅射技术,在不同Si单晶衬底温度条件(650,700和750℃)下,自组织生长了一系列Ge/Si量子点材料。分别利用原......
本文讲述了针对机械剥离法得到的石墨烯样品，用微纳加工的手段做成单量子点、串联双量子点、AB环、石墨烯纳米带等量子器件，在极低温......
文章论述了单电子盒中的库伦阻塞对电子输运性质的影响，主要考虑盒中静电荷与外部电压的关系以及晶体管能量对外部条件变化的响应。......
传统MOSFET结构正以较快的发展速度接近其物理极限,而单电子器件将成为新型的高性能集成化器件结构.本文采用量子点及其库伦阻塞效......
