开态电流模型相关论文
非晶铟镓锌氧化物(amorphous Indium-Gallium-Zinc-Oxide,a-IGZO)薄膜晶体管(Thin-Film Transistor,TFT)以其较高的载流子迁移率、......
本文主要研究了在交流工作条件下，基于多晶硅（polycrystalline silicon，poly-Si）薄膜晶体管（thin film transistor，TFT）技术的CMOS反相器......
本文研究了具有不同漏端Offset长度(LDO)的非晶铟镓锌氧化物(Amorphous Indium-Gallium-Zinc-Oxide,a-IGZO)薄膜晶体管(Thin-Film ......
本论文针对多晶硅薄膜晶体管(Thin Film Transistors, TFTs)提出了一个适用的阈值电压模型和一种新的源、漏寄生电阻提取方法。首......
