张应变Ge相关论文
Si基高效发光器件是目前Si基光电集成回路最具有挑战的器件之一。Ge由于具有准直接带特性、高载流子迁移率、在1.55μm附近有高的......
一直以来,制约Si基光电集成的一个关键难题就是如何实现高效的光源器件。Ge材料具有与Si材料工艺相兼容,能带结构可调整等优点,有......
本文借助于Lorentz-Lorenz方程,获得了不同应变条件下Ge材料的折射率。研究表明:应变Ge材料的折射率随着应变度的增加而增加,且在......
利用Ge与不同衬底形成的不同晶格失配度来调节有盖层的张应变Ge量子点的光电特性。通过有限元方法模拟并获得张应变Ge量子点内的应......
我们利用气态源分子束外延设备在不同In组分的InGaP或InAlP虚衬底上生长Ge薄膜,并比较不同虚衬底上Ge薄膜的材料性质。利用拉曼光......
