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针对红外探测器制作特性的要求，改善制作材料的物理性能，为此研究了经硅掺杂的InAs/GaSb二类超晶格薄膜（由MOCVD生长）在12~300 K温度范......
本文系统研究了厚度约1μm的Al掺ZnO(AZO)薄膜的低温电子散射机制.研究发现,薄膜在较高温区的电阻温度系数为正值,且载流子浓度在2......
以MgZnO/ZnO及Al_2O_3/SrTiO_3异质结为代表的氧化物异质结界面处二维电子气(2DEG)的发现,为高电子迁移率晶体管(HEMT)、高温高频......
针对红外探测器制作特性的要求，改善制作材料的物理性能，为此研究了经硅掺杂的InAs/GaSb二类超晶格薄膜（由MOCVD生长）在12~300 K温度范......
非晶InGaZnO_4(a-IGZO)薄膜兼具高可见光透过率(80%avgT(29))、高迁移率(m(28)10~100 cm~2V-1s-1)、低制备温度和较好的均一性,作......
本文利用射频磁控溅射法制备了一系列厚度约800 nm的非晶铟镓锌氧化物（a-IGZO）薄膜，并对其电输运性质和低温的电子退相干机理进行了系......
本文在多次实验中选择的低补偿度n-Hg1-xCdxTe样品上测量了0－10mT弱磁场范围的横向磁阻和纵向磁阻，观测到了三维电子系统中弱局域导......
针对红外探测器制作特性的要求,改善制作材料的物理性能,为此研究了经硅掺杂的InAs/GaSb二类超晶格薄膜(由MOCVD生长)在12~300 K温......
透明导电氧化物薄膜集对可见光的良好透过率和高的电导率于一身,使得这类材料在太阳电池、液晶及等离子体高清晰显示、智能视窗以......
本论文系统研究了(Cu50Zr50)94Al6大块金属玻璃的比热和热导率随温度的变化关系,并对Ag3Sn多晶样品和Cu-Zr非晶金属薄膜的电输运性......
