微沟槽效应相关硕士博士期刊学术论文 - 信丰网

微沟槽效应相关论文

4H-SiC材料在SF6/O2/HBr中的ICP-RIE干法刻蚀

传统SiC干法刻蚀中普遍出现明显的微沟槽效应,对后续工艺以及SiC器件性能有重要影响。针对这一问题,采用SF6/O2/HBr作为刻蚀气体,......

期刊

碳化硅(SiC) 电感耦合等离子体-反应离子刻蚀(ICP-RIE) SF6/O2/HBr 微沟槽效应刻蚀速率

ICP刻蚀4H-SiC栅槽工艺研究

为避免金属掩膜易引起的微掩膜,本文采用SiO2介质作为掩膜,SF6/O2/Ar作为刻蚀气体,利用感应耦合等离子体刻蚀(ICP)技术对4H-SiC tr......

期刊

微掩膜感应耦合等离子体碳化硅栅槽微沟槽效应

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