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基于抗辐射0.6umCMOS工艺,对5V/20V&LV/HVNMOS器件进行了总剂量加固结构设计,并采用叠栅氧工艺成功制备了抗总剂量能力逸500krad(S......
期刊
研究了基于90nmeFLASH工艺制备的浮栅型P-ChannelFLASH单元的总剂量电离辐射效应,主要研究了FLASH单元随总剂量增加的变化规律及编......