采用高射频感应加热法以及光辐射加热悬浮区熔法分别制备了Nd2PdSi3多晶和单晶样品,并对比研究了它们的磁性能。研究得出:多晶样品......

通过采用光辐射加热悬浮区熔法制备了Tb5Si3单晶。得出的结论为:3 mm/h的生长速度,0.1 MPa的循环氩气比较适合Tb5Si3单晶体的生长;......

难熔金属现已广泛用于电子、电气、机械、仪表、制造、核动力工业和各种高技术研究领域,基于其在市场上的广泛应用及重要性,本论文......

采用悬浮区熔技术制备了一种Sr掺杂的二钛酸钡（BaTi2O5）单晶（Ba1-xSrxTi2O5，x=O-0．03），重点研究了Sr掺杂量对其结构和介电性能的影响。结......