基于FinFET平台，阐述镶嵌式源漏区锗硅外延工艺L1种子层的优化，通过开发出循环式外延锗硅工艺，对L1种子层B浓度提升带来的选择性失效......

本文对EPW腐蚀液中低温掩膜层材料的选择进行了讨论.结果表明,PECVD生长的二氧化硅的可以作为深孔腐蚀的掩膜层,但是侧向腐蚀严重,......

合成了在Super-rens存储方式中适合做掩膜层和记录层材料的两种全氟二芳烯，旋涂法制备了实验存储盘片，并进行了近场存储实验.初步的......

本文描述了在我们开发的二维版图压缩器中使用的约束图模型,它按照版图中各掩模层和派生层在电学特性或设计规则上的互相影响,把版......

在不同的Protel99SE教材中，对于SolderMasks和Paste Masks的理解存在两种截然相反的意见，而且大多数教材对于Masks层没有给出详尽的......