时间分辨荧光谱相关论文
蓝宝石(Al_2O_3)上生长的InGaN/GaN多量子阱(MQWs)结构是现代蓝色发光二极管(LED)的基础,因其在新一代白光照明中的必要性和在全彩......
激光与二维材料相互作用的超快机制是近年来国际上一大研究热点。介绍了常见的用于激光与二维材料相互作用的三种超快光谱技术,即......
Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体是制作固体发光器件的重要材料。随着与氮有关的化合物半导体在短波发光器件（如蓝色发光二极管和紫色激光器件......
二维过渡金属硫族化合物半导体(TMDs)是继石墨烯发现之后又一明星材料,受到广大研究者的持续关注。TMDs的带隙大小受层数调控且单......
为了解决在单晶硅衬底上生长的InGaN/GaN多层量子阱发光二极管器件发光效率显著降低的问题，使用周期性δ型Si掺杂的GaN取代Si均匀掺......
