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我们用显微拉曼、卢瑟福背散射谱、X射线散射和非对称摇摆等实验手段研究了在10-2到10-5帕氧气压下用激光分子束外延技术生长的BaT......

显微拉曼中激光的注入和剔除ＤａＳｉｌｖａＥｄｏｕａｒｄ，ＯｓｗａｌｔＪｏｅｌＬａｓｅｒＬｉｇｈｔＩｎｊｅｃｔｉｏｎＡｎｄＲｅｊｅｃｔｉｏｎＩｎＭｉｃｒｏ┐ＲａｍａｎＤａｓｉｌｖａＥｄｏｕａｒｄ，ＯｓｗａｌｔＪｏｅｌ＊（ＩｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓＳ．Ａ．Ｄ.........

我们用显微拉曼、卢瑟福背散射谱、X射线散射和非对称摇摆等实验手段研究了在10-2到10-5帕氧气压下用激光分子束外延技术生长的BaT......

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介绍了用显微拉曼研究经低强度He-Ne激光照射,并在均匀磁场中处理过的水稻的结果,并与未经处理水稻的拉曼光谱进行了比较.基本依据......

InAs是Ⅲ-Ⅴ族材料中一种重要的窄直接带隙半导体，具有高电子迁移率，低有效质量以及很大的激子玻尔半径。InAs纳米线在纳米电子器件......