暗硅相关论文
硅工艺朝着物理极限的不断迈进，导致了由摩尔定律和登纳德定律组成的集成电路传统缩放模型失效。在芯片功耗墙的限制下，人们发现在后......
随着工艺水平的不断提升,器件的功率密度不断增加,导致现在的高性能多核处理器温度过高。而过高的温度会对芯片造成损伤,因此出现......
随着集成电路的特征尺寸越来越低,芯片上集成的晶体管变得越来越多,随之而来的也会带来很高的功率密度,最终因为芯片内部的散热限......
芯片集成度的提升芯片带来功耗密度的增加,引起芯片的过热问题.近年来,人们提出暗硅设计的概念,有选择地关闭部分工作模块,避免芯......
集成电路制造工艺的发展减小了晶体管的特征尺寸,理论上单位面积的芯片可集成更多晶体管而功耗密度保持不变。但是,当工艺节点发展......
随着集成工艺的飞速发展,片上网络芯片的集成度也迅速提高,过高的集成度使得片上网络在某些方面显露出了不足。由于传统的片上网络......
