栅介质刻蚀相关硕士博士期刊学术论文

采用氢（H）扩散掺杂源漏的方法对自对准顶栅a-IGZO TFT的制备工艺进行了研究。氢的扩散掺杂通过PECVD生长SiNx钝化层而实现。实验结果......