死层厚度相关论文
为更好服务于环境辐射监测,通过标准放射点源241 Am、133Ba、60Co、137Cs、152Eu对平面型HPGe探测器进行标定,分别获得不同特征能......
采用实验和Monte Carlo模拟计算相结合的方法,确定了一台HPGe探测器的锗晶体死层厚度和冷指井尺寸,建立了HPGe探测器的MCNP模型,经......
为获得P型同轴HPGe探测器的源探测效率,发展了一种利用蒙特卡罗方法替代标准源实验刻度源探测效率的方法.利用未知活度的152Eu点源......
利用Pu(源,通过不同角度下多道能谱峰位的移动大小,测量大面积Si-PIN探测器的死层厚度.实验结果表明此类Si-PIN探测器的死层在100n......
利用蒙特卡罗模拟计算和实验测量相结合的方法，对晶体死层厚度及冷指尺寸进行了修正。结果表明，当探测器的死层厚度为0．22 cm，冷指半径......
在层析γ扫描分析方法的效率矩阵求解过程中,建立准确尺寸的HPGe晶体计算模型对所求的探测器效率矩阵准确性有很大影响。在使用原......
目的用蒙特卡罗(MC)方法计算效率和实测效率的比较,调整HPGe探测器死层厚度和冷指尺寸,提高MC方法计算HPGe探测器γ射线探测效率的......
高纯锗探测器具有很好的能量分辨率,被认为是核素分析的黄金标准,在很多检测领域成为规定的标准 检测设备.在高纯锗探测器的制备过......
<正>高纯锗(High Purity Gemanium,HPGe)探测器表征技术是指采用实验测量与蒙特卡罗模拟计算探测器绝对探测效率相结合的方法,给出......
论文由四部分组成,分别为引言、原理、蒙特卡罗方法以及MCNP程序的介绍、数学建模和数据分析。引言部分介绍了高纯锗探测器探测效......
利用同轴型高纯锗(HPGe)探测器测量152Eu和133Ba在15cm处的探测效率,调节探测器死层厚度和冷指尺寸,利用Monte Carlo方法对同轴型H......
