比接触电阻相关论文
碳化硅（SiC）作为第三代半导体，具有宽禁带、高临界场强、高热导率、耐高温、耐腐蚀等优良性能，然而，良好的欧姆接触是制造SiC器件必不可......
作为第三代半导体的突出代表,SiC因具有很多的优良特性而被广泛应用于高频、高压器件中。在SiC器件的制造过程中,获得稳定性好且接......
当今的许多行业都需要在高温环境下工作的电子器件,如航空航天、火力发电、石油勘探和核能等,而目前的Si基器件的极限应用温度仅达......
利用同步辐射X射线衍射(XRD),同时运用2è扫描,ù扫描和ù-2è扫描这三种扫描方式研究了p-GaN上的Ni/Au电极在空气下不同温度合金......
采用扫描电容显微镜分析了平面型PIN In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As/ In0.52Al0.48As短波红外探测器盲元产生的原因, 利用半导体......
文章介绍了AZO/N Si欧姆接触特性的研究和AZO/N Si欧姆接触的制备新方法。实验发现AZO/N Si的退火温度和时间对其欧姆接......
采用Ti/Al/Ni/Au多层金属体系在Al0.27Ga0.73N/GaN异质结构上制备了欧姆接触.分别采用线性传输线方法(LTLM)和圆形传输线方法(CTLM......
新一代半导体材料碳化硅(SiC)相比于当今电子行业中最常用的半导体材料Si而言,具有宽带隙,高击穿电场和高导热率等优异性能,使其适......
本文给出了Al-Ti/W-PtSi-Si、Al-Ti/W-Si等多层结构电学性能,特别是欧姆接触与抗电迁移性的研究结果.包括电子能谱分析,扫描电镜观......
欧姆接触的质量直接影响器件的功耗、效率等性能指标，欧姆接触制备工艺是集成电路和半导体器件制造的关键工艺之一。一般的金属-半......
本文主要研究AlGaN/GaN二极管制备工艺中Ohmic Contact金属和Schottky Contact金属电极的制备,主要讨论了金属电极材料的选取,退火......
研究了Ni含量对Au-12Ge共晶合金组织、欧姆接触性能的影响.结果发现,随着Ni含量增加,合金偏析加剧,最低接触电阻值先减小后增加,对......
期刊
在非故意掺杂的和掺Si的GaN薄膜上蒸镀Ti(24nm)/Al(nm)薄膜,氮气环境下400～800℃范围内进行退火。实验结果表明,在非故意掺杂的样品......
研究了电子束蒸发淀积的非合金膜系Au/Pt/Ti/p-InP(2×1018cm-3)接触的物理特性,通过450℃、4 min的快速退火,获得了欧姆接触,其比......
期刊
多孔硅是一种具有优良光吸收特性的表面微结构材料，在光电探测器和太阳能光伏电池领域具有良好的应用前景。为了改善金属/多孔硅电......
给出了非合金接触情况下，PNP型HBT基极比接触电阻和接触阻抗的解析计算方法和结果。讨论了接触阻抗随频率的变化规律，并给出了集总元......
利用电子回旋共振（ECR）氢等离子体处理n型4H—SiC（0．5～1．5×10^19cm-3）表面，采用溅射法制备碳化钛（TIC）电极，并在低温（~800。C）条件下退火。......
对大电流密度下欧姆接触的结构进行了改进,采用只对接触区域老化而其它区域非破坏性的结构特点,保证测量数据的真实有效性。工艺制......
介绍了n^＋-SiC/Ti/Pt欧姆接触的制备方法及其接触特性,其中n^＋-SiC外延层是通过化学气相淀积的方法在偏离（0001）方向7.86°的4H-Si......
在Ｍｇ注入形成的Ｐ型ＧａＡｓ材料上，用预热和快速两步退火方式形成ｐ型欧姆接触。用传输线方法（ＴＬＭ）测量比接触电阻，得到最佳值３．７３×１０＾－５Ω．ｃｍ＾２，用在ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓＨＢＴ器件上，性能良......
用卢瑟福背散射(RBS)和同步辐射X射线衍射(XRD)研究了p-GaN上的Ni／Au电极在空气下不同温度合金后的微结构的演化，并揭示这种接触结构......
从理论和实验的角度研究了n型4H-SiC上的多晶硅欧姆接触.在p型4H-SiC外延层上使用P^＋离子注入来形成TLM结构的n阱.使用LPCVD淀积多......
为了研究异质结InP/InGaAs探测器帽层的欧姆接触特性,采用Au/p-InP传输线模型（TLM）,对比不同退火温度下的接触特性,在480℃、30 s的......
研究了Ti／Al／Ni／Au多层金属与GaN HEMT结构外延片的欧姆接触，发现接触特性与金属蒸发后的退火温度密切相关．在氮气氛中880℃条件下快速......
精确求解一维定态薛定谔方程得到电子通过三角形势垒的隧穿几率，用其代替WKB近似计算的隧穿几率精确提取比接触电阻．针对N型Ni基SiC......
采用扫描电容显微镜分析了平面型PIN In（0.52）Al（0.48）As/In（0.53）Ga（0.47）As/In（0.52）Al（0.48）As短波红外探测器盲元产生的原因,利用半导体器......
采用电子束蒸发法沉积Ni膜,对Ni膜进行650~1 150℃的热处理,研究了不同Ni层处理温度对欧姆接触的影响,再经过900~1 050℃热处理,欧......
简要叙述了欧姆接触工艺在长波长垂直腔面发射激光器（VCSEL）制作中的重要作用。采用圆环传输线方法（CTLM）研究了应用于长波长VCSEL结构......
研究了双层金属结构Ａｕ／Ｓｎ与ｐ－ＨｇＣｄＴｅ上的接触电阻，实验测得Ａｕ／Ｓｎ与ｐ－Ｈｇ１－ｘＣｄＴｅ（ｘ＝０．２１７，０．４１）的经接触电阻，ρｃ（２９５Ｋ，７７Ｋ）为１０＾－２～１０＾４Ω．ｃｍ＾２将这种电板接触应用于Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ（ｘ＝０．２３）光伏器件，测得ｐｎ结Ｉ－Ｖ特性的正向斜率为１２．６Ω即电极接......
本文研究了p-InP/Ag-zn/Mn系的接触特性和界面互扩散问题。结果表明:该系的比接触电阻与Au-zn系相当。而Ag的内扩散程度较Au低,有......
欧姆接触技术在半导体激光器制作中占有十分重要的地位,按其理论分析了获得GaAs、InP激光器低欧姆接触方法,分析了影响欧姆接触电......
本文研究Al(Al-Si)/n~+(p~+)多晶硅/n~+(p~+)Si结构和Al-Si/n~+(p~+)Si结构的比接触电阻和反向漏电。结果表明,浅结时,Al/n~+(p~+)......
航空航天、石油钻探、火力发电和核能等行业都需要在高温环境下工作的电子器件,而当前基于硅半导体的电子元件最高工作温度只有200......
GaN和相关的Ⅲ-Ⅴ族氮化物已经在蓝光波段和紫外光波段得到了开发和应用,目前正向着高温大功率电子器件方向发展。在开发器件过程......
碳化硅(SiC)是近十几年来迅速发展起来的宽禁带半导体材料之一。与广泛应用的半导体材料Si,Ge以及GaAs相比,SiC材料具有宽禁带、高......
SiC是继一、二代半导体材料之后迅速发展起来的第三代宽禁带半导体材料,具有高热导率、高饱和电子漂移速率和宽禁带等特点,是制作......
新一代半导体材料碳化硅（SiC）是制作高温、高频、高功率器件的理想材料,欧姆接触技术是新型半导体材料尤其是宽带隙半导体器件研究的......
宽带隙半导体SiC是制作高温、高频及抗辐射功率器件的理想材料。欧姆接触问题是宽带隙半导体器件研究中的技术难点。欧姆接触不仅......
砷化镓（GaAs）金属—半导体场效应晶体管（MESFET）是一种重要的GaAs器件,广泛的应用于无线通讯、信息技术和相控阵雷达等众多领域。栅漏......
能源与环境危机的压力,使市场对高效率、低成本的太阳能电池的需求越发迫切。本文着重对晶硅太阳能电池的前电极银浆进行了改性研......
研究了n型碳化硅(SiC)极性表面、载流子浓度和退火温度对欧姆接触的影响,测试了不同样品的电流-电压曲线,并通过传输线方法计算比......
金属与Si基n-Ge形成的欧姆接触的比接触电阻高,是制约Si基n-Ge器件性能的关键因素之一,因此选用恰当的金属作为其欧姆接触的金属电......
