氨热法相关论文
宽带隙氮化镓(GaN)单晶材料可应用于制备高频、高功率、耐高温的微电子器件,实现发光波长覆盖整个可见光波段的光电子器件,在航空......
回顾了GaN单晶体的液相生长法研究进展,主要介绍了高压氮气溶液法(HPNSG)、Na助溶剂法以及氨热法的原理、生长条件及其研究进展。......
本文利用有限体积法模拟了高压釜中流场的瞬态特性，研究了隔板开孔的分布对流场结构及营养素输运的影响。发现对于隔板开孔率（10％）的情......
利用氨热法合成了一种新型致密材料—氮化镓纳米固体。该纳米固体呈淡黄色，半透明，其组成颗粒的平均粒径为12nm，为六方纤锌矿型结构。......
氮化镓(GaN)是第三代半导体材料中的典型代表。因其良好的物理化学性能与热稳定特性,是制作光电子器件及电力电子器件的理想材料。......
氮化镓(GaN)具有高击穿场强、高饱和电子漂移速率、抗辐射能力强和良好的化学稳定性等优良特性,是制作宽波谱、高功率、高效率光电......
氮化镓(GaN)体单晶为制作高性能GaN基器件提供高质量、大尺寸、任意取向的单晶衬底材料。氨热法由于具有近热力学平衡条件下生长、......
回顾了GaN体单晶材料的发展历程并介绍了研究现状。主要讨论了HVPE法和气相传输法等气相生长方法，以及HNPSG、助溶剂法、氨热法、提......
由于大尺寸氮化镓单晶难以获得，只能用异质衬底来制作氮化镓器件，因此现在的氮化镓基器件的性能指标还远低于其理论值。氢化物外延法......
籽晶的表面损伤会导致后续生长的晶体位错增多。为了降低籽晶表面的损伤,通常采用粗磨-精磨-抛光的多步过程处理的晶片作为籽晶,工......
GaN作为性能最为优异的第三代半导体材料,其高质量的衬底材料的研发是目前乃至近5年的研究热点,而最好的衬底材料即为GaN体单晶。......
氮化镓(GaN)作为第三代宽禁带半导体核心材料之一,具有高击穿场强、高饱和电子漂移速率、抗辐射能力强和良好的化学稳定性等优良特......
采用氨热法在碱性条件下生长了GaN体单晶,SEM照片显示晶体表面有大量裂纹。用拉曼光谱测量GaN晶体的E2(high)声子拉曼峰,结果表明......
本文利用基于非正交网格的二阶精度有限体积法,对氨热法生长过程中温度场和流场进行了模拟,其中隔板开孔率分别为10%(中心开孔5%,......
