氮化氢氧合成栅介质相关硕士博士期刊学术论文

该文对部分耗尽SOI CMOS器件、工艺和电路进行了研究,主要内容如下：（1）研究了SOI NMOS器件寄生npn以极晶体管增益β和漏击穿电压与硅......