氮化镓基高电子迁移率晶体管相关论文
pH传感器是测量液体介质的酸碱度、进行精密监测和科学认证的必备检验器件,在环境、医疗、工业、农业及生物等使用溶液的领域中有......
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氮化镓(GaN)基高电子迁移率晶体管(HEMTs)具备诸多优良的性质，如临界击穿电场大、二维电子气(2DEG)浓度和电子迁移率高、耐高温、抗......
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21世纪以来，随着器件生长工艺和结构设计的改进，GaN基高电子迁移率晶体管（HEMTs）的性能不断改进，以其突出的高频、高功率密度性能优势在......
21世纪以来,GaN基高电子迁移率晶体管（HEMTs）因其突出的耐高温、高频率、高功率密度性能优势在微波通信、雷达等领域得到日益广泛的......
GaN基HEMT的A1GaN/GaN异质结界面处高二维电子气(2DEG)浓度易受表面态的控制，GaN基HEMT集成功能薄膜影响表面态电荷从而调控2DEG，实......
介绍了si衬底上外延生长GaN基HEMT的制备及其直流特性与微波特性的研究结果：栅宽200μm器件Vgs=0V时饱和电流密度达0．975A／mm，最大跨导......
制备了一种与Si-CMOS工艺线兼容的AlGaN/GaN HEMTs低温无金欧姆接触电极,分析了欧姆前刻槽深度和退火合金条件对Si基AlGaN/GaN异质......
在研制了AlGaN／GaN HEMT外延材料的基础上，采用标准工艺制作了2．5mm大栅宽AlGaN／GaNHEMT。直流测试中，Vg=0V时器件的最大饱和电流Jds可......
