氮极性相关论文
GaN半导体为直接带隙半导体材料,且具备禁带宽度宽、击穿电压大和饱和电子漂移速度高等特性,非常适用于半导体发光器件和高频大功......
GaN作为第三代半导体材料,具有禁带宽度大、击穿电压高、饱和电子漂移速度高等诸多优点,是制备高频大功率电子器件的理想材料。GaN......
晶格匹配的氮极性(N-polar)GaN/In0.17Al0.83N异质结以其优异的材料与电特性受到了研究者的广泛关注.通过自洽求解薛定谔方程和泊......
利用金属有机化合物化学气相淀积(MOCVD)在SiC衬底上外延生长了N-polar GaN材料,采用传输线模型(TLM)分析了Ti/Al/Ni/Au金属体系在......
N-polar GaN以其特有的材料特性和化学活性日益受到研究者关注,而N-polar GaN上欧姆接触也成为研究的热点。以Ti/Al/Ni/Au作为欧姆......
采用MOCVD技术在c面蓝宝石衬底上外延制备了N极性GaN薄膜。通过KOH腐蚀的方法判定了GaN外延薄膜的极性。通过X射线双晶衍射(XRD)摇......
为了获得高效率的AlGaN基深紫外发光二极管,提出了具有渐变量子垒的氮极性结构来调控载流子的传输.通过氮极性结构在p型电子阻挡层......
沿c轴生长的六方纤锌矿结构的Ga N,依据其原子堆叠顺序的不同,存在镓极性和氮极性两种极化方向相反的状态。目前关于镓极性Ga N的......
氮极性（N-polar）GaN与镓极性（Ga-polar）GaN极性相反，且具有较高的表面化学活性，使其在光电子、微电子及传感器等领域逐渐受到关注。文章......
