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现如今,高速发展的电子工业对微电子技术提出了更高的要求,希望微系统的功能密度和性能不断提高。由于集成电路器件特征尺寸逼近物......
Radiation induced offstate leakage in the shallow trench isolation regions of SIMC 0.18 μm nMOSFETs is studied as a fun......
在射频通信电路中,电感在收发机的射频预选回路、低噪声放大器(LNA)、压控振荡器(VCO)、阻抗匹配网络和滤波器等各个模块中的应用......
本文报告一种叫做自保护MOS栅晶闸管的新器件 .这种器件无寄生闩锁效应 ,并在较高阳极电压下展现出电流下降而不是饱和或上升的特......
Different channel lengths and layouts on 0.18μm NMOS transistors are designed for investigating the dependence of short......
通过对门极换流晶闸管（GCT）关键技术的研究，提出了一种沟槽隔离的逆导型GCT结构。借助MEDICI软件，模拟了GCT的各项特性及其在内部的微......
本文报告一种叫做自保护ＭＯＳ栅晶闸管的新器件。这种器件无寄生闩锁效应，并在较高阳极电压下展现出电流下隆而不是饱和上升的特性。因此......
半导体晶圆设备供应商Lam Research Corporation日前发布了2300 Versys Kiy03x刻蚀设备，关键尺寸（CD）一致性达到1nm，为双重图样曝光过......
逆导型IGCT因采用透明阳极、缓冲层、沟槽隔离和门极硬驱动等半导体新型技术而兼具GTO及IGBT的优点,文章重点分析其结构特点及制造......
在分析pnp隔离的逆导型GCT（RC—GCT）特性的基础上，提出了沟槽隔离的RC—GCT新结构，并给出了其阻断特性的设计方法．依此建立了RC—GCT的......
为改善背照式像素电学串扰问题，建立了小尺寸背面照射像素间的串扰物理模型，提出了一种应用于背照式像素的防串扰结构。该结构基于正......
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智能功率驱动芯片是一种将驱动电路、功率器件、传感器及各类保护电路集成在一起的功率芯片,特别适用于各类电机及逆变型电源,具有......
