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沟道掺杂分布相关论文
新型无结型晶体管特性仿真及性能优化设计
随着晶体管特征尺寸缩小至10 nm以下,传统Si基MOSFET面临诸多挑战,而新型沟道材料和器件结构将有望进一步提升器件性能.基于绝缘体......
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无结型晶体管
绝缘体上锗
沟道掺杂分布
短沟道效应
TCAD仿真
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