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在室温下,140keV Zn分别沿GaN的沟道方向和随机方向注入,注入剂量分别为1×10cm和3×10cm.高分辨透射电镜的观察结果表明,在3×10c......
本文主要对Zn沟道注入和随机注入对GaN造成的辐射损伤以及辐射损伤注入剂量的变化进行了分析和比较.结果表明,随机注入造成的辐照......
在室温下,140keV Zn分别沿GaN的沟道方向和随机方向注入,注入剂量从10/cm到4×10/cm范围.注入后的样品在流动N气中经1100℃和30秒......
在硅集成电路发展中,离子注入技术起着重要作用.最早它被用来进行MOSFET的沟道注入以调节其阈值电压,接着它替代热扩散用作MOS器件......
本文利用沟道背散射分析技术、剖面透射电子显微镜（XTEM）等对150keV As<sup>+</sup>沿〈100〉沟道方向注入硅的基本特征和临界条件进......
