沟道电子迁移率相关硕士博士期刊学术论文 - 信丰网

沟道电子迁移率相关论文

4H-SiC MOSFET器件栅介质及关键工艺研究

SiC MOSFET是电力电子器件的重要发展方向。但由于SiC MOSFET的界面处存在较高的界面态密度,导致器件的沟道迁移率较低,导通电阻较......

学位

4H-SiC MOSFET 栅氧化层界面态密度沟道电子迁移率

SiCSiO2界面的原子分辨率三维重构

碳化硅(SiC)是一种新型高功率电子器件材料,它有宽带隙、高击穿电场、高热导率等优点,并且能够形成基于硅基半导体器件制备技术的S......

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