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研究了一种采用非对称结构和注Ge的部分耗尽0.8μm SOI nMOSFET的浮体效应,实验结果表明这种结构能够提高漏端击穿电压约1V,减轻反......
研究了一种采用非结构和注Ge的部分耗尽0．8μmSOInMOSFET的浮体效应，实验结果表明这种结构能够提高漏端击穿电压约1V，减轻反常亚阈值......
