混晶半导体相关论文
一、引言 对Ⅲ-Ⅴ族半导体混晶中普遍存在的施主中心(DX中心)的研究,近几年来很活跃。实验观察到AlGaAs中施主中心的主要性质:1.......
用DLTS(深能级瞬态谱)及光照DLTS方法研究了不同组分(x=0.26、0.40、0.53)的 Al_xGa_(1-x)As:Sn材料。所有实验样品的DLTS谱都出现......
用深能级瞬态谱(DLTS)方法研究了组分范围为x=0.11-0.95的掺Te的GaAs_(1-x)P_(?)混晶中的深能级.结果表明:样品中出现的深能级可分......
利用深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）方法研究了不同发光效率的掺Ｔｅ的ＧａＡｓ１－ｘＰｘＬＥＤ中的深中心，探讨深能级对ＧａＡｓ１－ｘＰｘ：ＴｅＬＥＤ发光效率的影响，结果表明，发射率激活能力０．４０ｅＶ的Ｂ能级是影响发光效......
报道了Ｎ－Ｇａ１－ｘＡｌｘＡｓ低温光伏的异常特性，在暗条件下降温的样品，其低温光钛的初始强度比受光照的样品的光伏初始强度大得多，对这两种不同初始条件，当......
采用皮称量级的超快速光谱技术，分析了混晶ＧａＡｓ１－ｘＰｘ：Ｎ材料发光瞬态过程，结果证实了材料随组份变化，从间接带到直接带转变的带增强效应，对Ｎｘ发光带不......
GaAsP混晶中Fe杂质基态与激发态的光离化截面的幅度比S(x)随组分x有规律地变化,本文提出一种理论估算,认为它是Fe能级无序分裂的结......
用DLTS(深能级瞬态谱)及光照DLTS方法研究了不同组分(x=0.26、0.40、0.53)的 Al_xGa_(1-x)As:Sn材料。所有实验样品的DLTS谱都出现......
近十年来,随着红外探测器、激光器、光电管、太阳能电池、微波管、高速器件、传感器件等的发展、半导体材料的研究重点也逐渐由二......
