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温度相关的电容电压和电导方法相关论文
基于高k栅介质的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体MOS器件研究
基于Si的互补型金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor, CMO S)器件跟随摩尔定律不断的按比例缩小已有几十载......
学位
Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体
高介电常数
快速I_d-V_g方法
电流漂移
温度相关的电容电压和电导方法
界面缺陷态密度
费米能级钉扎
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