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非晶铟镓锌氧薄膜晶体管(a-IGZO TFT)因具有制备温度低、载流子迁移率较高等优点而非常适合于制作柔性TFT背板,进而驱动柔性显示器件......
对poly-Si TFT的制作工艺进行了研究,采用准分子激光晶体法制备了多晶硅薄膜,并以Mo,Al两种金属直接与有源层接触形成源漏电极,对这两......
本文采用钼-铝-钼(Mo/Al/Mo)叠层结构作为源漏电极,制备氧化铟锌(IZO)薄膜晶体管(TFT).研究了Mo/Al/Mo源漏电极中与IZO接触的Mo层......