源漏穿通相关硕士博士期刊学术论文 - 信丰网

源漏穿通相关论文

漏轻掺杂MOSFET的源漏穿通

测量和分析了1μm LDD MOSFET的穿通特性,与常规结构的MOSFET加以比较.结果表明,LDD结构能够有效地抑制DIBL效应、大幅度地提高短......

期刊

穿通沟道 LDD MOSFET 短沟道 MOSFET 源漏穿通定性解释栅压沟道长度常规结构开启电压

漏轻掺杂MOSFET的源漏穿通

测量和分析了1μm LDD MOSFET的穿通特性,与常规结构的MOSFET加以比较.结果表明,LDD结构能够有效地抑制DIBL效应、大幅度地提高短......

期刊

MOSFET 源漏穿通掺杂 LDD LDD MOSFET short-channel MOSFET Punchthrough DIBL effect

看过本文同时还关注