溶液生长相关论文
借助航天事业的发展,在宇宙空间开发研制电子材料,是近年来电子材料研究生产过程中的一个重要飞跃。良好的宇宙空间条件,为开拓新......
据报道,日本田村制作所与光波公司,开发出了使用氧化镓(Ga_2O_3)衬底的GaN基LED器件,预计器件及氧化镓衬底可在2011年年末上市,与......
A simple solution processing method was developed to grow large-scale well-aligned single crystals including 6,13-bis(tr......
近期,在对基于TIPS-pentacene这一典型的p型半导体的场效应晶体管的研究中,我们发现以Au作为源漏电极,BCB修饰的SiO2作为绝缘......
简要回顾了对Met.—TCNQ薄膜研究的历史。归纳出形成Met.—TCNQ薄膜的四类方法,即溶液生长法、真空沉积法、电化学法和粉末法。总......
简要介绍了非线性光学薄膜制备技术的进展，分析比较了无定形膜、极化取向膜、ＬＢ膜及单晶膜在制备与应用方面的优缺点。
The progress......
介绍了用溶液生长技术制备ＣｄＳ薄膜的方法，用此方法在玻璃衬底上获得了淡黄色的ＣｄＳ薄膜，薄膜为混合立方和六方晶系结构，呈ｎ型高阻状态．在可见光......
用气相生长法生长了最大线度约为１．５ｍｍ的Ｃ＿（６０）单晶。单晶Ｘ射线衍射分析结果表明，该Ｃ＿（６０）单晶为ｆｃｃ结构，晶格常数为１．４１３ｎｍ，在２５１Ｋ附近与相变有关的电导率的尖锐跳变表......
用全息相衬干涉显微术研究了高温溶液生长KTP晶体和低温溶液生长KDP晶体的溶质边界层。实验表明,无论是在高温溶液还是在低温溶液......
在４．５～５．０ＧＰａ，１５００～１８００℃范围内，对在Ｌｉ基复合氮化物或氮硼化物的催化体系中以及其中添加Ｌｉ８ＳｉＮ４后合成ｃＢＮ进行了研究，探讨了ｃＢＮ晶体的表面构造和生长机制，研究了由六方氨......
本文报道了不同溶剂对ＤＣＮＰ晶体生长的影响，发现二甲基甲酰胺是一种好溶剂。利用降温法已生长出ＤＣＮＰ透明单晶。
This paper reports the eff......
人们都赞赏宝石、水晶和金刚石等天然晶体晶莹透明、百姿多态、五光十色。但你若走进一个普通的人工晶体展室,将会发现人工晶体更......
本文从温度波在熔体中传播的理论以及熔体速度边界层理论出发，研究了温度脉冲宽度与温度波的频率、波长对ＢＢＯ熔体的穿透深度之间的关系......
采用Ｌｅｎｎａｒｄ—Ｊｏｎｅｓ（１２—６—１）势函数计算出二苯甲酮晶格能为１０５．６ｋＪ／ｍｏｌ，与实测值１０２．４ｋＪ／ｍｏｌ基本一致。用晶体生长形态学理论计算了二苯甲酮晶体的木征形态，与等温熔体生长实......
ＰＭＮＰＴ晶体的结晶基元与生长机理罗豪沈关顺齐振一许桂生王评初乐秀宏李金龙仲维卓殷之文（中国科学院上海硅酸盐研究所，上海２０１８００）ＧｒｏｗｔｈＵｎｉｔｓａｎｄＧｒｏｗｔｈＭｅｃｈａｎｉｓｍｏｆＰＭＮＰＴＣｒｙｓｔａｌｓＬｕｏＨａｏｓｕＳｈｅｎＧ.........
C_(60)作为一种新型功能材料已受到人们广泛关注,为了深入研究这种材料的结构和物性,以及开拓其潜在的应用领域,通过C_(60)粉来制......
1981年7月在美国加利福尼亚州圣地亚哥召开了第五届国际气相生长和外延会议/第五届美国晶体生长会议(ICVGE—5/ACCG—5).参加会议......
采用Te~+离子注入使N型Pb_(1-x)Sn_xTe转变成P型层。Te~+离子浓度大于1×10~(15)/厘米~2,并经适当的后退火处理在N型Pb_(1-x)Sn_x......
自从美国蒙三托公司采用GaAs单晶做为衬底的气相外延生长法(PVE)工业生产GaAs_-xP_x单晶以来,便确立了大量使用Ⅲ—V族化合物半导......
随着研究生产高质量HgCdTe晶体的工作日益增多,HgCdTe作红外探测器材料用的潜力正在被越来越多的认识到。因为存在高的汞蒸汽压、......
本文评论器件所用的GaAs和GaP单晶衬底的通用制备工艺。评论了化合物合成和晶体生长的主要方法。重点谈液封直拉法,因为所有大面积......
在美国电化学学会1975年10月5—9日的会议上,德克萨斯州一大学(SouthernMethodist Univ.)报告了试制磷化硼(BP)场致发光二极管的......
《晶体生长杂志(Journal of Crystal Growch)》1988年Vol 86,Nos.1～4是刊载关于Ⅱ—Ⅵ族化合物第三届国际会议的论文集。现按文集......
气相外延的GaAsP是商业上用于红色(最近又用于橙色和黄色)发光二极管最成功的材料。用于绿色发光二极管(实际上是565—570毫微米......
以NH4SCN和CdCl2.2H2O为反应原料,采用缓慢降温法,从水溶液中生长了尺寸为:10mm×7mm×4mm新的化合物Cd(SCN)Cl单晶体;采用元素分......
采用顶部籽晶溶液法,生长了直径约15mm,长度为10mm的近化学计量比钽酸锂(near-stoichiometric Li TaO3,SLT)和Zn掺杂的近化学计量......
HgCdTe是一种有广泛应用前景的Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体光电材料。从投资上看,它已为仅次于Si和GaAs的第三种最重要的半导体。HgCdTe是......
在LiNbO3(LN)中分别掺入0.5%(摩尔分数,下同),1%和2% MgO,0.03%(质量分数)Fe2O3,配料中n(Li)/n(Nb)=1.38,采用顶部籽晶溶液生长法......
以K2O为助溶剂在LiNbO3中掺入0.15%(质量分数,下同)CuO,0.03%和0.05%Fe2O3,用顶部籽晶溶液生长法生长近化学计量比Cu:Fe:LiNbO3晶......
一、序言具有优越能量分辨率的锗、硅探测器已发展到市售水平,各个领域有着广泛应用。探测器发展的目标将是进一步对新材料的研制......
第八届国际晶体生长会议(ICCG-8)于1986年7月13日至18日在英格兰北部古城约克市的约克大学召开。参加会议的有来自29个国家和地区......
该论文选择NaBO10HO,HBO,KBO5HO及EDTA钾盐作为添加剂,在一定条件下实现了快速生长.首先系统地测定了KDP晶体的溶解度曲线及介稳区......
本文在测定ＫＤＰ溶解度曲线及介稳区的基础上，通过添加几种硼酸盐类添加剂，并采用Ｚ切点籽晶实现了ＫＤＰ晶体的快速生长，［００１］和［１００］方向的生长速度可达１０～１５ｍｍ／ｄ（５Ｌ生长......
通过溶胶-凝胶法制备ZnO薄膜,使其充当控制ZnO纳米线（棒）生长的先驱物种子,再采用溶液生长法制备ZnO纳米棒,运用X射线衍射（XRD）、扫描......
以NH4SCN,ZnCl2,乙二胺和盐酸为反应原料,采用缓慢降温法,从水溶液中生长了尺寸为11×6×3mm3新的化合物（enH2）0.5[Zn（en）3]（SC......
用Ｍｕｌｌｉｎｓ和Ｓｅｋｅｒｋａ的线性动力学理论定性探讨了Ｔｅ溶液生长半磁半导体Ｃｄ１－ｘＭｎｘＴｅ时固－液界面的稳定性，并在自行设计的旋转式液相外延装置中，用Ｃｄｔｅ作籽晶，利用失稳小平......
测量了Ｔｅ溶液生长半尖半导体Ｃｄ１－ｘＭｎｓＴｅ的导电类型、电阻率、霍尔迁移率和光致发光，测定结果表明，Ｔｅ溶注人生长Ｃｄ１－ｘＭｎｓＴｅ晶体质量和稳定性均优于布里奇曼长晶......
本工作通过晶体生长实验,获得了不同运动方式下的磷酸二氢铵(ADP)晶体,并通过拉曼光谱、热分析、显微硬度和化学腐蚀等手段研究了......
溶液中的晶须生长受多种因素的制药，本文依据晶体生长的基本过程，讨论了螺型位错的来源，晶须的生长机制以及生长动力规律。从热力学角......
用电纺得到的ZnO／SiO2复合纤维膜，浸在溶胶-凝胶法制备的ZnO溶胶中2h，使其充当控制ZnO纳米线（棒）生长的先驱物种子，再采用溶液生长法制备......
简述了ZnSe体单晶熔体生长，气相生长、溶液生长和固相再结晶技术以及ZnSe的基本理化性质，分析并认为这些基本理化性质对Znse单晶生长......
