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漏极收集电荷相关论文
三维H形栅SOINMOS器件总剂量条件下的单粒子效应
本文通过数值模拟研究了H形栅SOI NMOS器件在总剂量条件下的单粒子效应.首先通过分析仿真程序中影响迁移率的物理模型,发现通过修......
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应变Si NMOS器件总剂量辐射对单粒子效应的影响
针对应变Si NMOS器件总剂量辐射对单粒子效应的影响机制,采用计算机TCAD仿真进行研究。通过对比实验结果,构建50 nm应变Si NMOS器......
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