漏电机制相关论文
为了减小栅漏电流,本文在Ni/Au栅和Al0.245Ga 0.755N/GaN异质结构间插入了3nm的薄铝层,并对这种新结构的肖特基结和传统Ni/Au肖特......
立方结构EuTiO3(ETO)是一种在低温条件下同时拥有磁有序和电有序的多铁材料，表现为G型反铁磁序（尼尔温度为5.1K）和量子顺电序（温度70K......
随着计算机、通讯和网络技术领域的迅猛发展,以及对低损耗、高速度和大容量的追求,人们对器件集成化、小型化和多功能化的要求越来......
碳化硅（SiC）金属-氧化物-场效应晶体管（MOSFET）是当前主流的功率半导体器件之一,目前仍面临高电场下栅介质层的漏电流及可靠性问题。本......
多铁性材料是一类具有铁电、铁磁和铁弹性两种或者以上的铁性材料。由于具有铁电自发极化特性,多铁材料通常具有铁电光伏效应。众......
电子信息行业发展日新月异,对电子器件的要求也在不断提高,特别是器件小型化和高敏度。传统的栅氧化物在器件发展过程中,不断暴露......
学位
采用高分子辅助沉积法在多晶镍衬底上,以氧化镍作为缓冲层,生长了多晶钛酸钡(BaTiO3,BTO)薄膜。对其漏电特性测试及分析发现,在测......
介绍了一种基于原子层淀积(ALD)方法生长的高密度二氧化铪金属-绝缘体-金属(MIM)电容,获得的电容密度达到了9.76fF/μm2,漏电......
目前GaN基HEMT器件中肖特基的反向漏电仍然是制约GaN基HEMT器件发展的一个瓶颈。本文在Ni/Au栅和Al0.245Ga0.755N/GaN异质结间插入......
GaAs赝配高电子迁移率晶体管(pHEMT)的关态栅极漏电流取决于温度与电应力环境.研究了高温与电应力对0.25 μm GaAs pHEMT肖特基特......
期刊
本论文主要针对目前(Ba,Sr)TiO3(BST)薄膜漏电机制研究中最常使用的Schottky发射(热电子发射)模型的电流方程的不足，结合BST薄......
经过多年的发展，p型太阳电池效率提升遇到瓶颈。而n型太阳电池因其高少子寿命、无光致衰减效应等优势越来越受到产业重视。在众多新......
随着大规模集成电路VLSI(Very Large Scale Integrated circuits)技术的迅猛发展，半导体器件的特征尺寸遵循着摩尔定律不断地减小，在......
本论文对高温超导体/铁电体氧化物异质结电性质进行了研究，主要以Pt/Ba0.7Sr0.3TiO3(BST)/YBa2Cu3O7-x(YBCO)异质结为基础系统地研......
以Ni-Al为阻挡层,在Si衬底上构架了SrRuO3(SRO)/BiFe0.95Mn...
本文研究了利用旋涂法在硅衬底上制备的聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）和三氟乙烯-偏氟乙烯的共聚物（P（VDF-TrFE））双层复合绝缘膜的漏电机理,采......
基于等离子轰击和射频磁控溅射技术,制备了HfO2/SrTiO3结构的全氧化物场效应晶体管(FET),并研究了其栅极漏电性质。该全氧化物晶体......
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利用脉冲激光沉积技术在Sr Ti O3表面导电层上方制备非晶Hf O2栅介质薄膜,通过磁控溅射技术在非晶Hf O2栅介质薄膜上方制备直径为1......
铁电材料在传感器、驱动器、超声波换能器、谐振器、非挥发性存储器、电容器等各种电子元件方面有着广泛的应用,随着科技的发展,对......
学位
构成集成电路的主要元件–晶体管尺寸进入45nm工艺节点后，栅介质氧化物的等效氧化层厚度（EOT）要求小于1nm，也就是几个原子层的物理厚度......
随着大规模集成电路VLSI （Very Large Scale Integrated circuits）技术的迅猛发展，半导体器件的特征尺寸遵循着摩尔定律不断地减小，在......
以Ni-Al为阻挡层,在Si衬底上构架了SrRuO3（SRO）/BiFe0.95Mn0.05O3（BFMO）/SRO异质结电容器。X射线衍射（XRD）分析表明：Ni-Al阻挡层为非晶结......
立方结构EuTiO3(ETO)是一种在低温条件下同时拥有磁有序和电有序的多铁材料，表现为G型反铁磁序（尼尔温度为5.1K）和量子顺电序（温度70K......
本论文主要研究了高性能复合栅绝缘膜的制备及性能测试。实验中使用具有不同介电常数的两种材料：聚甲基丙烯酸甲酯与偏氟乙烯-三氟......
