本文介绍了用LCVD的方法制备金属Cr薄膜,用扫描电子显微镜法(SEM),X射线光电子谱,X射线衍射方法对所沉积薄膜进行了表征,并对现阶......

硅作为目前微电子工业的主导材料和硅集成电路的物质基础，一直以来都发挥着重要作用，推动一次又一次的电子科技革命。与普通的单质硅......

为了制备高纯度的非晶纳米粉体 ,在传统的激光诱导化学气相沉积法反应装置的基础上 ,引入“双光束激励”的新方法 ,利用正交紫外光......

采用激光诱导化学气相沉积法制备出超细（7～15nm）、理想化学剂量（N／Si=1．314）、无团聚的非晶纳米氮化硅粉体．为了提高粉体的纯度，在传统激光......

氮化硅(Si3N4)是优良的陶瓷材料,应用十分广泛.本文论述了激光诱导化学气相沉积法制备纳米Si3N4的工作原理,提出了减少游离硅的措......

激光诱导气相沉积法是制备纳米氮化硅粉末的主要方法之一.在制备纳米粉体过程中,各工艺参数的变化对粉体特征有很大的影响.在激光......

本文对激光合成硅粉过程中出现的分形现象进行了分析，计算了其分维，讨论了形成这种分形结构的原因......

使用氩离子激光作为光源，乙烷（C2H6）作为工作气体，在激光功率0．5—4．5W，气体压力0．03—0．09MPa的变化范围内，进行激光诱导化学气相沉积形成微......

硅在向纳米结构转变过程中,随着颗粒尺寸的减小而导致的表面和界面的增加、晶格畸变、缺陷数量和种类的变化等,使其低维效应、表面......