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近几十年,晶体管的特征尺寸一直按照摩尔定律逐渐缩小,来到纳米尺度后,越来越严重的短沟道效应极大阻碍了器件性能的进一步提升。......
GaN基高电子迁移率晶体管在高温、高频率和高功率电子工业应用方面表现出了巨大的潜力，引起各国研究机构和公司的关注，并且目前已经......
SOI技术是集成电路进入亚微米和深亚微米级后能突破体硅材料和硅集成电路限制的新型集成电路技术。随着超大规模集成电路的快速发......
随着特征尺寸不断按比例缩小,器件的二级效应将变得越来越严重。为此需要采用新结构、新材料以适应器件进一步发展的要求。本文所......
研究了在改性注氧隔离(SIMOX)材料上制备的具有环栅和H型栅结构的部分耗尽NMOS晶体管在三种不同偏置状态的总剂量辐照效应。实验表......
研究了在改性注氧隔离（SIMOX）材料上制备的具有环栅和H型栅结构的部分耗尽NMOS晶体管在三种不同偏置状态的总剂量辐照效应。实验表明......
