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电场集边效应相关论文
新型阶梯沟道4H-SiC MESFET设计与仿真
4H-SiC MESFET是在L、S、X波段应用最广泛的器件类型,这是因为在高频应用领域MESFET结构优于其他结构,目前,最先进的固态微波通讯系......
学位
4H-SiC MESFET
阶梯沟道
电场调制效应
电场集边效应
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