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调制比是薄膜制备中体现材料化学计量比的重要参数,直接影响含能复合薄膜的反应性能。为了研究Al/MoO3含能复合薄膜在半导体桥上复......
依据肖特基势垒理论,设计并制备了Al/CuO肖特基结换能元芯片。用击穿电压仪研究了换能元芯片的电击穿性能,用电容放电的激发方式研究......
为了获得爆炸桥箔贮存后的电爆特性,对爆炸桥箔开展了高温(90℃)和高温高湿(80℃,RH95%)条件下的加速寿命试验。利用照相、扫描电镜分......
利用磁控溅射和光刻工艺制备不同桥翼形状爆炸箔,开展桥翼形状对爆炸箔电爆特性及飞片速度的影响研究。研究表明:改变桥翼形状对电......
Al/CuO复合薄膜是一种薄膜结构形式的铝热剂,在电能激发下,Al薄膜和CuO薄膜可以发生氧化还原反应释放出反应热。根据固体电子学理......
利用磁控溅射工艺制备纳米Al/MoO,薄膜,借助FESEM、AFM、XRD、XPS和DSC分析薄膜性质。结果表明:所制备的纳米Al/MoOx薄膜表面平整,......
为提高半导体桥的输出能量,本文通过理论分析选用Al/CuO作为含能材料,设计制作了两种桥型的Al/CuO复合半导体桥。在不同激励条件下......
本文在Si基底上利用电子束蒸发沉积的Cu膜为样品,通过热退火制备CuO纳米线。通过FE-SEM表征手段研究电子束流的大小、Cu膜厚度、热......
为了解决瞬态电压抑制二极管(TVS)用于半导体桥火工品抗静电设计的参数优化问题,采用电路模拟和试验相结合的方法,构建了电容放电......