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界面反应扩散模型相关论文
HfO<,2>高K栅介质MOS器件的时变击穿和阈值电压不稳定性问题研究
随着微电子技术的发展,金属栅/高k栅介质结构取代传统的多晶硅/SiO2(或SiON)结构成为必然趋势。根据国际半导体技术发展路线图,在200......
学位
金属栅结构
高k栅结构
CMOS器件
时变击穿
阈值电压不稳定性
电场依赖
界面反应扩散模型
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