研磨片相关论文
通过实验系统地研究了硅中氧、氮、碳含量和状态以及硅片表面损伤对室温下硅片抗弯强度的影响规律，讨论了室温抗弯强度与高温抗形变......
不同抗弯强度硅片高温弯曲度变化的实验结果表明，众多因素对抗弯强度和高温弯曲度的影响规律是一致的．高温翘曲度或弯曲度与抗弯强度......
在不同条件下（系统pH值，磨粉浓度，氧化剂浓度），通过对GaAs化学机械抛光速率变化规律的研究和对晶片表面氧化层的俄联（AES）分析，探讨了H2O2......
采用ＴＥＭ、ＸｒａｙＲｏｃｋｉｎｇＣｕｒｖｅ等测试的方法，对ＧａＡｓ晶片化学机械抛光后亚表面损伤层引入的深度进行了分析，探讨了碱性ＳｉＯ２胶体水溶液加入不同浓度的电解质（ＮａＯＣｌ）后所发生......
本文根据科研实践,主要讨论了动压陀螺仪高精度球形轴承的精加工和超精加工的原理和加工工艺;并叙述了应用机动光学法进行超精加工......
国内首家从事多线切割机应用企业--西安华晶电子技术有限公司太阳能光伏材料加工基地扩产一期工程于10月29日在西安高新区落成.rn......
以理论为基础，探讨砂磨机中的研磨片的诸多设计要素。设计的研磨装置具有研磨效率高，研磨粒度小，粒度分布窄，节能等特点，并用于生产实践......
浙大海纳公告称，公司半导体生产部门将扩产搬迁，扩产后硅单晶产能将达到100吨／年，硅研磨片产能增长一倍达1200万片／年。......
介绍了选用单组份环氧树脂，热塑性酚醛树脂并添加适量的缩醛树脂、配制成树脂溶液的形态，作为结合剂，和光学超精磨片，采用冷压成型，后固......
针对研磨片研磨过程中工件表面粗糙峰去除和研磨片磨粒涂覆层磨粒脱落的问题,将离散元技术应用到研磨片研磨过程微观表面变化研究......
研究了一种新的外吸杂方法，它不需要在硅片加工过程中特意引入另外的外吸杂工序，而是通过控制腐蚀工艺条件，将硅片正常研磨加工中形成......
采用不同的化学腐蚀方法，探讨了不同体系成份、温度、腐蚀过程的吸收热对晶片均匀性的影响，提出了氨水系列，进行晶片化学腐蚀，晶片厚度......
硅单晶研磨片表面状态的分析研究河北工学院（天津３００１３０）刘玉岭，韩清涛，徐晓辉，李湘都硅片研磨是硅器件衬底加工过程中一个重要工序，研磨表面状......
随着电子工业的迅速发展,对电路的集成度要求愈来愈高。集成电路的电学性能对硅衬底片表面状态是十分敏感的,为获取最佳硅表面状态......
采用不同的化学腐蚀方法，探讨了不同体系成份、温度、腐蚀过程的吸放热对晶片均匀性的影响，提出了氨水系列，进行晶片化学腐蚀，晶片厚度......
