硅单晶电阻率相关论文
该文概述了直拉硅单晶在快中子、γ射线、电子辐照下的辐照效应（主要是载流子去除效应和少子寿命的降低），对γ辐照实验做了重点研究，发......
该文讨论了勾形磁场对Ｎ＜１００＞，Ｈ＜１１１＞直拉硅单晶电阻率的影响。勾形磁场能够改善电阻率径向均匀性，对电阻率轴向变化影响不大。......
在进行高温硅功率器件设计时,为保证器件的温度特性,必须正确、恰当地选取硅单晶电阻率,理论分析与实验相结合,可根据硅功率器件额......
