硅基片相关论文
本文提出了一种将铁氧体置于硅片及Y结环形电路上的环形器结构,该环形器结构的设计能更好地与集成电路的制造工艺兼容,适合用于将......
以混合的锌粉和锡粉作为原料,通过热蒸发的方法在沉积有金膜的硅基片上制备出具有"心线-壳层"同轴结构的ZnO/SiO 纳米电缆.扫描......
由于最近接连发现新的超导体,因此产生的兴奋将会掩盖材料科学一些重要问题,而这些问题恰恰会妨碍超导体的实际应用。
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用化学气相沉积(CVD)法制备的金刚石薄膜工具代替超高压合成的人造金刚石已发展到商品化阶段。三菱材料公司在WC-Co系硬质合金上,......
4.用于准直光束很久以前就考虑了“波片堆”偏振仪的几何问题~([9,10])。Bird和Shurcliff考虑了AgCl“厚”波片堆,Conn和Eaton考......
3.4.蝴蝶结树的分析海底和地下等所使用的高压输送电缆一般采用抗电场性好的架桥聚乙烯作为铜线绝缘包敷材料。如果聚乙烯中存在......
以Al、Cu、Ag、Mo、Cr为衬底层,在650℃热硅基片上制备了未经后退火工艺处理的Sm Co基永磁薄膜,研究了薄膜内禀矫顽力的变化规律。......
采用二维时域有限差分法(2D-FDTD)精确计算了高速集成电路芯片内互连线的频变等效电路参数.有耗吸收边界条件和非均匀渐变网格技术......
美国普渡大学工程师的研究表明，利用激光可能避免和确定尘埃污染物，帮助计算机芯片制造商大幅节约成本。由E.Dan Hirleman领导的小组......
索尼公司研究开发了独特的光栅光阀技术 ,即采用ＭＥＭＳ(硅微机械 )技术在硅基片上刻划光栅条纹 ,在电信号作用下以光栅条纹的微动来响应......
自锁型2×2和1×4光开关是在{100}硅基片上采用各向异性湿刻蚀工艺技术在KOH中制备的微机械光开关。这种制备方法可以低成本一次投......
未来摩尔定律将遭遇挑战。在未来的至少十年内,AMD、IBM和英特尔公司仍将继续使用硅来制造更小、远紫外线(Extreme Ultraviolet,EU......
日本物质材料研究机构和早稻田大学联合研究小组近日发现,添加硼的金刚石薄膜在极低温状态下可进入超导状态,这一新的超导材料有......
据美国工程物理科学委员会消息,剑桥大学氮化镓中心研究出一种发光二极管的新制法,可使其造价降低90%,并有望在5年内将家庭电费减......
研究了硅基液晶(LCoS)微显示驱动电路的制备工艺、电路设计、版图绘制以及显示功能测试。采用化学机械抛光(CMP)工艺实现硅片表面......
本文采用多排热丝化学气相沉积法在涂巴基管的硅基底上沉积金刚石膜，研究了金刚石膜的生长面积和质量均匀性。实验结果表明，随着热丝......
在高阻硅基片上,我们制备了末端串联了dc-SQUID的λ/4谐振器,实现了可调超导共面波导谐振器.通过与谐振器耦合的传输线,我们测量了......
设计了一种基于绝缘上层硅的硅-有机物材料混合马赫-曾德干涉型高速电光调制器.利用光束传播法对顶层硅为220nm的绝缘上层硅基片上......
在射频集成电路设计中,片上螺旋电感应用非常广泛。对于GaN器件,由于其单晶制备困难,无法进行同质外延,选用SiC作为GaN器件衬底是......
JESSI是在硅基片上进行系统集成的技术研究计划。 1987年由法国、荷兰和西德联合组成的“亚微米技术”小组提出了一个“欧洲联合......
1.前言在测量非电物理量时,常常利用电桥将非电信息转换成携带信息的电路载体。电桥是识别共模干扰信号和所需的差模信号的理想线......
表面微机械加工技术是实现单片集成微光学系统的一种新方法。本文介绍一种新型的采用微机械加工技术的微型光学加速度计 ,包括设计......
美国加里福尼亚州的ＴｉＮｉ合金公司新近开发成功在磨光的硅基片上沉积的ＮｉＴｉ合金 (Ｎｉｔｉｎｏｌ)形状记忆合金薄膜 ,并且成功地将这种形状记忆合金薄膜制......
最近老的金属平版刻蚀工艺有了改进,以适于制造计算机的微晶片及根据新的要求制造很小的化学传感器。这项技术是新的,异于常规的......
作为人工预测材料,β-C_3N_4可能具有与金刚石相当的体弹性模量,并能够检验现代固体理论的预测性。 本研究首先采用离子注入、磁控......
在低温和常压下，通过电解甲醇和氨水混合溶液，在硅基片上进行沉积掺氮碳膜的尝试，得到了含氮8％的类金刚石薄膜。通过拉曼光谱和X光电子......
日本东京大学精密工学研究所新近开发成功一种利用非晶合金薄膜材料借助于静电驱动的锥形螺旋弹簧微型致动器 ,系世界首创制品。该......
设计并制作了一种全集成的基于波长路由的光真延时(OTTD)模块。该模块由两个相同的通道间隔为1.6nm的16×16阵列波导光栅路由器(AW......
用直接铺展法在硅基片上制备了FeSt_2OH LB膜,制做了Al/FeSt_2OH LB膜/Si(MIS)结构,测定了5层膜的MIS结构的C-V特性曲线。结果表明......
钛酸铅■(Pb,La)TiO_3(简称PLT)铁电陶瓷薄膜可望在红外探测器、光波导、声表面波器件等光电子学及其它高技术领域中获得广泛的应......
利用离子束增强沉积工艺，在硅基片上制备Si3N4／Si多层红外干涉滤波薄膜结果表明，N2+N的辅助轰击对于合成接近化学配比的Si3N4薄膜起了......
通过用电化学法预先沉积一层碳膜的方法，利用热丝化学汽相沉积法使金刚石在光滑硅片上的成核密度达到１０７ｃｍ－２左右，与未镀碳膜相比提高了近３个......
微波等离子体化学气相沉积（ＭＰＣＶＤ）是制备金刚石薄膜的一种重要方法。为了获得金刚石薄膜的高速率大面积沉积，在国内首次研制成功了５ｋＷ带有石英......
采用射频溅射法在单晶硅基片上沉积了(FE88ZR7B5)0.97CU0.03软磁薄膜样品,对制备态样品进行了直流电流退火处理。结果表明,最佳退......
二氧化铈绝缘体 随着超大规模集成电路的发展,要求使用一种与微型电容器相匹配的薄膜材料。在低压下运行时,微型电容器必须具有适......
大面积薄膜的组分和厚度分布是实际工艺中最为关心的问题之一.利用实验和直接模拟Monte Carlo(DSMC)方法,分别研究了双电子束和三......
采用溶胶-凝胶法,以钛酸四丁酯(Ti(OC4H9)4)和硝酸铝(Al(NO3)3.9H2O)为前驱体,乙醇为溶剂,利用硝酸铝中所含的结晶水进行水解反应,......
采用ZrO2、WO3复合氧化物和Cu靶材,利用磁控溅射法,通过改变溅射功率在单晶硅基片上分别制备1、3、5层Cu/ZrW2O8复合薄膜。通过X射......
采用空心阴极放电离子镀（ＨＣＤ）技术，在硅基片上沉积ＣｒＮ薄膜．用Ｘ射线衍射技术（ＸＲＤ）及透射电镜（ＴＥＭ）分析了氮气分压对沉积的ＣｒＮ薄膜结构的影响．用电子探针（ＥＰＭＡ）及......
利用脉冲多弧离子镀技术在硅基片上沉积类金刚石薄膜．分析了类金刚石薄膜的牢固度与各种工艺条件的关系．实验结果表明：基片的清洗、基......
